BSP135L6906
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Infineon Technologies BSP135L6906
| Artikelnummer: | BSP135L6906 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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Infineon Technologies BSP135L6906 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BSP135L6906.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 94µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-SOT223-4-21 Serie SIPMOS® Rds On (Max) @ Id, Vgs 45Ohm @ 120mA, 10V Verlustleistung (max) 1.8W (Ta) Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA Paket Bulk Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 146 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.9 nC @ 5 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal Depletion Mode Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120mA (Ta) -
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